JAN2N4449
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N4449中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-206
外形尺寸
封装 TO-206
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N4449引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N4449
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N4449 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-46 | 当前型号 | Trans Npn 20V To46 | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N4449 品牌： 美高森美 封装： TO-46 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 15V 3Pin TO-46 | JAN2N4449和JANTX2N4449的区别 |
| 型号： JANTXV2N4449 品牌： 美高森美 封装： TO-46 NPN | 完全替代 | TO-46 NPN 15V | JAN2N4449和JANTXV2N4449的区别 |
| 型号： 2N4449 品牌： 美高森美 封装： TO-46 | 完全替代 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N4449和2N4449的区别 |
