JAN2N3251AUB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3251AUB中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.36 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N3251AUB引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3251AUB | Microsemi 美高森美 | PNP 60V 0.2A | 搜索库存 |