JANTXV2N6782U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
通道数 1
耗散功率 800mW Ta, 15W Tc
漏源极电压Vds 100 V
耗散功率Max 800mW Ta, 15W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 ULCC-18
封装 ULCC-18
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N6782U | Microsemi 美高森美 | MOSFET N-CH 100V 3.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N6782U 品牌: Microsemi 美高森美 封装: ~8.33°C/W | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 3.5A | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6782U 品牌: 美高森美 封装: ~8.33°C/W | 功能相似 | MOSFET | JANTXV2N6782U和JANTX2N6782U的区别 |