JANTX1N752DUR-1
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANTX1N752DUR-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
测试电流 20 mA
稳压值 5.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTX1N752DUR-1引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N752DUR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N752DUR-1 | Microsemi 美高森美 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N752DUR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N752DUR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JAN1N752DUR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA | 完全替代 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N752DUR-1和JAN1N752DUR-1的区别 |
| 型号： JANTXV1N752DUR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA-2 | 类似代替 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N752DUR-1和JANTXV1N752DUR-1的区别 |
| 型号： 1N752DUR-1 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N752DUR-1和1N752DUR-1的区别 |
