锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

JANTX1N4101

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 电子元器件分类

硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum


JANTX1N4101中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 8.2 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Obsolete

JANTX1N4101引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX1N4101
型号 制造商 描述 购买
JANTX1N4101 Microsemi 美高森美 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES 搜索库存
替代型号JANTX1N4101
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX1N4101

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N4101

品牌: 美高森美

封装: DO-35

功能相似

低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

JANTX1N4101和1N4101的区别

型号: 1N4101-BP

品牌: 美微科

封装:

功能相似

DO-35 8.2V 0.5W1/2W

JANTX1N4101和1N4101-BP的区别

型号: 1N4101-1

品牌: M/A-Com

封装:

功能相似

DO-35 8.2V 0.5W1/2W

JANTX1N4101和1N4101-1的区别