JANTX1N3999RA
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANTX1N3999RA中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 10 W
稳压值 6.8 V
封装参数
封装 DO-4
外形尺寸
封装 DO-4
其他
产品生命周期 Obsolete
JANTX1N3999RA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| JANTX1N3999RA | Microsemi 美高森美 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N3999RA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： JANTX1N3999RA 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTXV1N3999R 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | JANTX1N3999RA和JANTXV1N3999R的区别 |
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