JANTX2N6851U
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Infineon
英飞凌
分立器件
JANTX2N6851U中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
引脚数 18
封装 LLCC
外形尺寸
封装 LLCC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTX2N6851U引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6851U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6851U | Infineon 英飞凌 | LLCC P-CH 200V 4A | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6851U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6851U 品牌： Infineon 英飞凌 封装： LLCC P-CH 200V 4A | 当前型号 | LLCC P-CH 200V 4A | 当前型号 |
| 型号： IRFE9230 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | Power Field-Effect Transistor, 4A ID, 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | JANTX2N6851U和IRFE9230的区别 |
| 型号： JANTXV2N6851U 品牌： 英飞凌 封装： LLCC P-CH 200V 4A | 完全替代 | LLCC P-CH 200V 4A | JANTX2N6851U和JANTXV2N6851U的区别 |
