容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
测试电流 20 mA
稳压值 3 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AA-2
长度 3.7 mm
封装 DO-213AA-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX1N4372AUR-1 | Microsemi 美高森美 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX1N4372AUR-1 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-213AA | 当前型号 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 当前型号 | |
型号: JAN1N4372AUR-1 品牌: 美高森美 封装: DO-213AA | 完全替代 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N4372AUR-1和JAN1N4372AUR-1的区别 | |
型号: 1N4372A 品牌: 美高森美 封装: DO-7 | 完全替代 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N4372AUR-1和1N4372A的区别 | |
型号: JAN1N4372DUR-1 品牌: 美高森美 封装: DO-213AA | 功能相似 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JANTX1N4372AUR-1和JAN1N4372DUR-1的区别 |