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JANS1N6119A

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 电子元器件分类
JANS1N6119A中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 49.9 V

测试电流 30 mA

脉冲峰值功率 500 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 Case E

外形尺寸

封装 Case E

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JANS1N6119A引脚图与封装图
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JANS1N6119A Microsemi 美高森美 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS 搜索库存
替代型号JANS1N6119A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS1N6119A

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

当前型号

型号: JAN1N6119A

品牌: 美高森美

封装: B

完全替代

双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANS1N6119A和JAN1N6119A的区别

型号: JANTXV1N6119A

品牌: Sensitron Semiconductor

封装:

类似代替

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon,

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型号: 1.5KE47A

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

功能相似

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.2V VRWM, Unidirectional, 1Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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