JAN2N5796
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N5796中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-78
外形尺寸
封装 TO-78
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
JAN2N5796引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5796
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5796 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78 PNP | 当前型号 | 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N5796 品牌： 美高森美 封装： TO-78 PNP | 完全替代 | 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N5796和2N5796的区别 |
| 型号： 2N5795 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 PNP | 类似代替 | 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N5796和2N5795的区别 |
| 型号： 2N3057A 品牌： 美高森美 封装： TO-46 500mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JAN2N5796和2N3057A的区别 |
