JANS1N4101

Microsemi 美高森美电子元器件分类

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum

JANS1N4101中文资料参数规格

封装参数

封装 DO-7

外形尺寸

封装 DO-7

其他

产品生命周期 Active

JANS1N4101引脚图与封装图

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JANS1N4101	Microsemi 美高森美	硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES	搜索库存

替代型号JANS1N4101

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	型号： JANS1N4101 品牌： Microsemi 美高森美封装：	当前型号	硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES	当前型号
	型号： JANTX1N4101 品牌：摩托罗拉封装：	功能相似	Zener Diode, 8.2V VZ, 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7	JANS1N4101和JANTX1N4101的区别

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描述

替代型号对比

型号： JANS1N4101

品牌： Microsemi 美高森美

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当前型号

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

当前型号

型号： JANTX1N4101

品牌：摩托罗拉

封装：

功能相似

Zener Diode, 8.2V VZ, 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7