JAN2N4239

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans Npn 80V 1A To39

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO39

JAN2N4239中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

JAN2N4239引脚图与封装图

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