JAN2N3420S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3420S中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N3420S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N3420S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3420S | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 60V 3A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3420S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3420S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans Npn 60V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2N3420 品牌： 美高森美 封装： TO-5 | 类似代替 | 3安培， 85V ， NPN硅功率晶体管JAN ， JTX ， JTXV ， JANS 3 Amp, 85V, NPN Silicon Power Transistors JAN, JTX, JTXV, JANS | JAN2N3420S和2N3420的区别 |
| 型号： 2N3420S 品牌： 美高森美 封装： TO-5 NPN | 类似代替 | TO-39 NPN 60V 3A | JAN2N3420S和2N3420S的区别 |
