JAN1N753DUR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N753DUR-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±1 %
正向电压 1.1V @200mA
稳压值 6.2 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN1N753DUR-1引脚图与封装图
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在线购买JAN1N753DUR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N753DUR-1 | Microsemi 美高森美 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N753DUR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N753DUR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-213AA | 当前型号 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N753DUR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA | 完全替代 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JAN1N753DUR-1和JANTX1N753DUR-1的区别 |
| 型号： JANTXV1N753DUR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA-2 | 类似代替 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JAN1N753DUR-1和JANTXV1N753DUR-1的区别 |