JANTXV2N3960UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3960UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 1V
额定功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N3960UB引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N3960UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3960UB | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 12V Ub | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3960UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3960UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Trans Npn 12V Ub | 当前型号 |
| 型号： 2N3960UB 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N3960UB和2N3960UB的区别 |
