JAN1N758AUR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N758AUR-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 10 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AB-2
外形尺寸
长度 3.7 mm
封装 DO-213AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN1N758AUR-1引脚图与封装图 
JAN1N758AUR-1引脚图
JAN1N758AUR-1封装图
JAN1N758AUR-1封装焊盘图
在线购买JAN1N758AUR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N758AUR-1 | Microsemi 美高森美 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N758AUR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N758AUR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-213AA | 当前型号 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTXV1N758AUR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA | 类似代替 | SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES | JAN1N758AUR-1和JANTXV1N758AUR-1的区别 |