JAN1N6352
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN1N6352中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
稳压值 150 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
JAN1N6352引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN1N6352
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N6352 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 500毫瓦玻璃齐纳二极管 500 mW GLASS ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N5276BDO-35 品牌： 美高森美 封装： DO-35 150V | 完全替代 | DIODE ZENER 150V 0.5W1/2W DO35 | JAN1N6352和1N5276BDO-35的区别 |
| 型号： 1N5276BTR 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | DO-35 150V 0.5W1/2W | JAN1N6352和1N5276BTR的区别 |
| 型号： 1N6352E3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-35 150V 0.5W1/2W | JAN1N6352和1N6352E3的区别 |
