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Microsemi 美高森美 分立器件
JAN1N4626中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 5.6 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN1N4626引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN1N4626 Microsemi 美高森美 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES 搜索库存
替代型号JAN1N4626
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN1N4626

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N4626

品牌: Central Semiconductor

封装: DO-35

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JAN1N4626和1N4626的区别

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