JAN2N6768
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6768中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 400 V
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6768引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6768
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6768 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.83°C/W | 当前型号 | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N6768E3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | N-CH 400V 14A | JAN2N6768和2N6768E3的区别 |
| 型号： 2N6768 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JAN2N6768和2N6768的区别 |
