JAN2N6782U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6782U中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 800mW Ta, 15W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.5A
耗散功率Max 800mW Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 ULCC-18
外形尺寸
封装 ULCC-18
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6782U引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6782U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6782U | Microsemi 美高森美 | CLLCC N-CH 100V 3.5A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6782U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6782U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： CLLCC N-CH 100V 3.5A | 当前型号 | CLLCC N-CH 100V 3.5A | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6782U 品牌： 美高森美 封装： ~8.33°C/W | 功能相似 | MOSFET | JAN2N6782U和JANTX2N6782U的区别 |
| 型号： IRFE110 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A ID, 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | JAN2N6782U和IRFE110的区别 |
| 型号： JANTXV2N6782U 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A ID, 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | JAN2N6782U和JANTXV2N6782U的区别 |
