JAN2N7236
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N7236中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4W Ta, 125W Tc
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-254-3
外形尺寸
封装 TO-254-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N7236引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N7236
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N7236 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~1°C/W | 当前型号 | MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA | 当前型号 |
| 型号： IRFM9140 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | TO-254AA P-CH 100V 18A | JAN2N7236和IRFM9140的区别 |
| 型号： JANTXV2N7236U 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | -100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package | JAN2N7236和JANTXV2N7236U的区别 |
| 型号： JANS2N7236 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | TO-254AA P-CH 100V 18A | JAN2N7236和JANS2N7236的区别 |
