JAN2N7227U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N7227U中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 400 V
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-267
外形尺寸
封装 TO-267
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N7227U引脚图与封装图
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在线购买JAN2N7227U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N7227U | Microsemi 美高森美 | MOSFET N-CH TO-267AB | 搜索库存 |
替代型号JAN2N7227U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N7227U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.83°C/W | 当前型号 | MOSFET N-CH TO-267AB | 当前型号 |
| 型号： 2N7227 品牌： 美高森美 封装： TO-254-3 | 类似代替 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | JAN2N7227U和2N7227的区别 |
| 型号： JANTXV2N7227 品牌： 美高森美 封装： ~0.83°C/W | 类似代替 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF- 592分之19500 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592 | JAN2N7227U和JANTXV2N7227的区别 |
