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JAN2N6798U

数据手册.pdf

CLLCC N-CH 200V 5.5A

This family of switching transistors is military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  The 2N6798U part number is also qualified to the JANS level.  These devices are also available in a TO-205AF TO-39 package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JAN2N6798U中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 800mW Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 5.5A

耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ULCC-18

外形尺寸

封装 ULCC-18

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N6798U引脚图与封装图
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型号： JAN2N6798U

品牌： Microsemi 美高森美

封装： CLLCC N-CH 200V 5.5A

当前型号

CLLCC N-CH 200V 5.5A

当前型号

型号： IRFE230

品牌： Semelab

封装：

功能相似

Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 16Pin LCC-4

JAN2N6798U和IRFE230的区别

型号： JANTX2N6798U

品牌： 英飞凌

封装：

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 5.5A ID, 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

JAN2N6798U和JANTX2N6798U的区别