JANTXV2N6784
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 800mW Ta, 15W Tc
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta, 15W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
封装 TO-205
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N6784 | Microsemi 美高森美 | MOSFET N-CH | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N6784 品牌: Microsemi 美高森美 封装: ~8.33°C/W | 当前型号 | MOSFET N-CH | 当前型号 | |
型号: JAN2N6784 品牌: 美高森美 封装: TO-39 N-CH 200V 2.25A | 功能相似 | TO-39 N-CH 200V 2.25A | JANTXV2N6784和JAN2N6784的区别 | |
型号: JANTX2N6784 品牌: 美高森美 封装: ~8.33°C/W | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-39 | JANTXV2N6784和JANTX2N6784的区别 |