JAN1N6475

Microsemi(美高森美) 分立器件

40.3V 1500W

63.5V Clamp 135A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole Axial

立创商城:
Vrwm:40.3V 1.5kW

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Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G Bag

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Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G Bag

JAN1N6475中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 63.5 V

最大反向电压（Vrrm） 40.3V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 43.7 V

击穿电压 43.7 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Case G

外形尺寸

封装 Case G

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN1N6475引脚图与封装图

JAN1N6475引脚图

JAN1N6475封装图

JAN1N6475封装焊盘图

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JAN1N6475	Microsemi 美高森美	40.3V 1500W	搜索库存

替代型号JAN1N6475

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JAN1N6475 品牌： Microsemi 美高森美封装：	当前型号	40.3V 1500W	当前型号
型号： 1N6475 品牌：美高森美封装： G	完全替代	瞬态抑制器 TRANSIENT SUPPRESSORS	JAN1N6475和1N6475的区别
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