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JANTXV1N6466

JANTXV1N6466

数据手册.pdf

30.5V 500W

47.5V Clamp 63A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole Axial


立创商城:
Vrwm:30.5V 500W


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 500W 2-Pin Case E Bag


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 500W 2-Pin Case E Bag


JANTXV1N6466中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 47.5 V

最大反向电压(Vrrm) 30.5V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 500 W

最小反向击穿电压 33 V

击穿电压 33 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 E PACKAGE

外形尺寸

封装 E PACKAGE

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTXV1N6466引脚图与封装图
JANTXV1N6466引脚图

JANTXV1N6466引脚图

JANTXV1N6466封装图

JANTXV1N6466封装图

JANTXV1N6466封装焊盘图

JANTXV1N6466封装焊盘图

在线购买JANTXV1N6466
型号 制造商 描述 购买
JANTXV1N6466 Microsemi 美高森美 30.5V 500W 搜索库存
替代型号JANTXV1N6466
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV1N6466

品牌: Microsemi 美高森美

封装: E

当前型号

30.5V 500W

当前型号

型号: 1N6466

品牌: 美高森美

封装: Case

完全替代

高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.

JANTXV1N6466和1N6466的区别

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封装: DO-214AB 15V 1.5kW

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品牌: 意法半导体

封装: DO-201 68V 1.5kW

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