JANTXV1N6163A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV1N6163A中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 71.3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 C-Axial
外形尺寸
封装 C-Axial
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTXV1N6163A引脚图与封装图 
JANTXV1N6163A引脚图
JANTXV1N6163A封装图
JANTXV1N6163A封装焊盘图
在线购买JANTXV1N6163A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV1N6163A | Microsemi 美高森美 | 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | 搜索库存 |
替代型号JANTXV1N6163A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV1N6163A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | 当前型号 |
| 型号： 1N6163A 品牌： 美高森美 封装： C | 类似代替 | 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | JANTXV1N6163A和1N6163A的区别 |
| 型号： JANTX1N6163A 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 56V 1.5kW 2Pin | JANTXV1N6163A和JANTX1N6163A的区别 |