JAN1N4134-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N4134-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
稳压值 91 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AH
外形尺寸
封装 DO-204AH
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN1N4134-1引脚图与封装图
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在线购买JAN1N4134-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N4134-1 | Microsemi 美高森美 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N4134-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N4134-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N4134-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | JAN1N4134-1和JANTX1N4134-1的区别 |
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