JAN1N4129DUR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N4129DUR-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±1 %
正向电压 1.1V @200mA
稳压值 62 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN1N4129DUR-1引脚图与封装图
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在线购买JAN1N4129DUR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N4129DUR-1 | Microsemi 美高森美 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N4129DUR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： JAN1N4129DUR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~100°C/W | 当前型号 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JAN1N4129UR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA-2 | 功能相似 | 玻璃表面贴装0.5瓦齐纳二极管 GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | JAN1N4129DUR-1和JAN1N4129UR-1的区别 |