JAN1N4101
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JAN1N4101中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
稳压值 8.2 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
符合标准
含铅标准 Contains Lead
JAN1N4101引脚图与封装图
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在线购买JAN1N4101
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N4101 | Microsemi 美高森美 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N4101
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N4101 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N4101 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 功能相似 | 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS | JAN1N4101和1N4101的区别 |
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