JAN2N5004
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5004中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
封装参数
封装 TO-59
外形尺寸
封装 TO-59
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N5004引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5004
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5004 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-59 | 当前型号 | Trans Npn 80V 5A To59 | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5004 品牌： 美高森美 封装： TO-59 NPN | 完全替代 | TO-59 NPN 80V 10A | JAN2N5004和JANTXV2N5004的区别 |
| 型号： JANTX2N5004 品牌： 美高森美 封装： TO-59 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59 | JAN2N5004和JANTX2N5004的区别 |
| 型号： 2N5004 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5004和2N5004的区别 |
