JAN1N1184
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N1184中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.4V @110A
封装参数
封装 DO-203AB-2
外形尺寸
封装 DO-203AB-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
军工级 Yes
JAN1N1184引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN1N1184
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N1184 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-5 | 当前型号 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 当前型号 |
| 型号： 1N1192A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | 广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER | JAN1N1184和1N1192A的区别 |
| 型号： 1N1184 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： DO-203AB | 功能相似 | 整流器 100V 35A Std. Recovery | JAN1N1184和1N1184的区别 |
| 型号： 40HF10 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 40A, 100V VRRM, Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, DO-5, 1Pin | JAN1N1184和40HF10的区别 |
