JAN1N1186R
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N1186R中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.4V @110A
正向电流Max 35 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-5
外形尺寸
封装 DO-5
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
军工级 Yes
JAN1N1186R引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN1N1186R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N1186R | Microsemi 美高森美 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 搜索库存 |
替代型号JAN1N1186R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N1186R 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.8°C/W | 当前型号 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 当前型号 |
| 型号： NTE5987 品牌： NTE Electronics 封装： | 类似代替 | Diode 200V 40A 2Pin DO-5 | JAN1N1186R和NTE5987的区别 |
| 型号： NTE5945 品牌： NTE Electronics 封装： | 类似代替 | Silicon Power Rectifier Diode, 15A | JAN1N1186R和NTE5945的区别 |
| 型号： JANTX1N1186 品牌： 美高森美 封装： ~0.8deg | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | JAN1N1186R和JANTX1N1186的区别 |
