JAN2N2906AL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2906AL中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-206
外形尺寸
封装 TO-206
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N2906AL引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2906AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2906AL | Microsemi 美高森美 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2906AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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