击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
封装 SMD-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N2906AUA | Microsemi 美高森美 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX2N2906AUA 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N2906AUA 品牌: 美高森美 封装: TO-18 PNP | 完全替代 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | JANTX2N2906AUA和2N2906AUA的区别 | |
型号: JANTXV2N2906AUA 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JANTX2N2906AUA和JANTXV2N2906AUA的区别 | |
型号: JAN2N2906AUA 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JANTX2N2906AUA和JAN2N2906AUA的区别 |