JAN2N5003
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5003中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
封装参数
封装 TO-210
外形尺寸
封装 TO-210
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N5003引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5003
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5003 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~3°C/W | 当前型号 | Trans Pnp 80V 5A To59 | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5003 品牌： 美高森美 封装： ~3°C/W | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JAN2N5003和JANTXV2N5003的区别 |
| 型号： JANTX2N5003 品牌： 美高森美 封装： ~3°C/W | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JAN2N5003和JANTX2N5003的区别 |
| 型号： 2N5003 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5003和2N5003的区别 |
