JAN2N5151

Microsemi(美高森美) 分立器件

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT

JAN2N5151中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 5V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

JAN2N5151引脚图与封装图

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