JAN2N5339
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5339中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N5339引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5339
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5339 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans Npn 100V 5A To39 | 当前型号 |
| 型号： 2N5339 品牌： Central Semiconductor 封装： TO39 6000mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 100V 5A 3Pin TO-39 Box | JAN2N5339和2N5339的区别 |
| 型号： JANTX2N5339 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 100V 5A 3Pin TO-39 | JAN2N5339和JANTX2N5339的区别 |
