JAN2N4033UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N4033UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Pack
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N4033UB引脚图与封装图
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在线购买JAN2N4033UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N4033UB | Microsemi 美高森美 | Trans Pnp 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N4033UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N4033UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Trans Pnp 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： JANS2N4033UB 品牌： 美高森美 封装： 500mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin UB | JAN2N4033UB和JANS2N4033UB的区别 |
| 型号： 2N4033UB 品牌： 美高森美 封装： UB 0.5W | 类似代替 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N4033UB和2N4033UB的区别 |
