JAN2N3440L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3440L中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 250 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3440L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N3440L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3440L | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 250V 1A To5 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3440L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3440L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans Npn 250V 1A To5 | 当前型号 |
| 型号： JANS2N3440L 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | TO-5 NPN 250V 1A | JAN2N3440L和JANS2N3440L的区别 |
| 型号： JANTXV2N3440 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 类似代替 | JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39 | JAN2N3440L和JANTXV2N3440的区别 |
| 型号： 2N3440L 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 类似代替 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3440L和2N3440L的区别 |