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JANTXV2N3998

数据手册.pdf

NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 10A 2W Chassis, Stud Mount TO-59


JANTXV2N3998中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

封装参数

封装 TO-210

外形尺寸

封装 TO-210

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

JANTXV2N3998引脚图与封装图
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