JAN2N3419
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3419中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N3419引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3419
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3419 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans Npn 80V 3A | 当前型号 |
| 型号： JANS2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-39 | JAN2N3419和JANS2N5154的区别 |
| 型号： 2N3421 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 5A IC, 80V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, | JAN2N3419和2N3421的区别 |
