击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
封装 TO-5
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
JAN2N5153L | Microsemi 美高森美 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: JAN2N5153L 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-5 | 当前型号 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANS2N5153L 品牌: 美高森美 封装: TO-5 | 完全替代 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5153L和JANS2N5153L的区别 | |
型号: JANS2N5153 品牌: 美高森美 封装: TO-39 1000mW | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5153L和JANS2N5153的区别 | |
型号: JANTXV2N5153L 品牌: Semicoa Semiconductor 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A IC, 80V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | JAN2N5153L和JANTXV2N5153L的区别 |