JANTXV2N3960
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3960中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 1V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N3960引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N3960
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3960 | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 12V To-18 | 搜索库存 |