JAN2N3418
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3418中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N3418引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3418
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3418 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans Npn 60V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2N3418E3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-5 NPN 60V 3A | JAN2N3418和2N3418E3的区别 |
| 型号： 2N3418 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Transistor | JAN2N3418和2N3418的区别 |
