JANTX2N2369AUA
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANTX2N2369AUA中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.36 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 UA
外形尺寸
封装 UA
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JANTX2N2369AUA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX2N2369AUA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N2369AUA | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 4Pin UA | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N2369AUA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N2369AUA 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 360mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 4Pin UA | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N2369AUA 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 | JANTX2N2369AUA和JANTXV2N2369AUA的区别 |