JANTXV2N4261UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N4261UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N4261UB引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N4261UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N4261UB | Microsemi 美高森美 | Trans Pnp 15V 0.03A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N4261UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N4261UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT | 当前型号 | Trans Pnp 15V 0.03A | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N4261UB 品牌： 美高森美 封装： UB PNP | 完全替代 | UB PNP 15V 0.03A | JANTXV2N4261UB和JANTX2N4261UB的区别 |
| 型号： 2N4261UB 品牌： 美高森美 封装： SOT | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N4261UB和2N4261UB的区别 |
| 型号： JAN2N4261UB 品牌： 美高森美 封装： SOT | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 15V 0.03A 3Pin UB | JANTXV2N4261UB和JAN2N4261UB的区别 |
