极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
封装 TO-5
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N3498L | Microsemi 美高森美 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N3498L 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-5 NPN | 当前型号 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANS2N3498L 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3498L和JANS2N3498L的区别 | |
型号: JAN2N3498 品牌: 美高森美 封装: ~30°C/W | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3498L和JAN2N3498的区别 | |
型号: JANTX2N3498L 品牌: 美高森美 封装: ~30°C/W | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3498L和JANTX2N3498L的区别 |