JANTXV2N2369AUA
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N2369AUA中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
外形尺寸
封装 SMD-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N2369AUA引脚图与封装图
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