JANS2N2369AUBC
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N2369AUBC中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANS2N2369AUBC引脚图与封装图
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在线购买JANS2N2369AUBC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N2369AUBC | Microsemi 美高森美 | UB NPN 15V | 搜索库存 |
替代型号JANS2N2369AUBC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N2369AUBC 品牌： Microsemi 美高森美 封装： UB NPN | 当前型号 | UB NPN 15V | 当前型号 |
| 型号： 2N2369AUBC 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N2369AUBC和2N2369AUBC的区别 |
